Отличия и разница оперативной памяти ddr3l и ddr3

Визуальный осмотр оперативной памяти

Если у вас есть возможность открыть компьютер и осмотреть его комплектующие, то всю необходимую информацию вы можете получить с наклейки на модуле оперативной памяти.


Обычно на наклейке можно найти надпись с названием модуля памяти. Это название начинается с букв «PC» после которых идут цифры, и оно указывает на тип данного модуля оперативной памяти и его пропускную способность в мегабайтах за секунду (МБ/с).

Например, если на модуле памяти написано PC1600 или PC-1600, то это модуль DDR первого поколения с пропускной способностью в 1600 МБ/с. Если на модуле написано PC2‑3200, то это DDR2 с пропускной способностью в 3200 МБ/с. Если PC3 – то это DDR3 и так далее. В общем, первая цифра после букв PC указывает на поколение DDR, если этой цифры нет, то это простой DDR первого поколения.

В некоторых случаях на модулях оперативной памяти указывается не название модуля, а тип оперативной памяти и его эффективная частота. Например, на модуле может быть написано DDR3 1600. Это означает что это модуль DDR3 c эффективной частотой памяти 1600 МГц.

Для того чтобы соотносить названия модулей с типом оперативной памяти, а пропускную способность с эффективной частотой можно использовать таблицу, которую мы приводим ниже. В левой части этой таблицы указаны названия модулей, а в правой тип оперативной памяти, который ему соответствует.

Название модуля Тип оперативной памяти
PC-1600 DDR-200
PC-2100 DDR-266
PC-2400 DDR-300
PC-2700 DDR-333
PC-3200 DDR-400
PC-3500 DDR-433
PC-3700 DDR-466
PC-4000 DDR-500
PC-4200 DDR-533
PC-5600 DDR-700
PC2-3200 DDR2-400
PC2-4200 DDR2-533
PC2-5300 DDR2-667
PC2-5400 DDR2-675
PC2-5600 DDR2-700
PC2-5700 DDR2-711
PC2-6000 DDR2-750
PC2-6400 DDR2-800
PC2-7100 DDR2-888
PC2-7200 DDR2-900
PC2-8000 DDR2-1000
PC2-8500 DDR2-1066
PC2-9200 DDR2-1150
PC2-9600 DDR2-1200
PC3-6400 DDR3-800
PC3-8500 DDR3-1066
PC3-10600 DDR3-1333
PC3-12800 DDR3-1600
PC3-14900 DDR3-1866
PC3-17000 DDR3-2133
PC3-19200 DDR3-2400
PC4-12800 DDR4-1600
PC4-14900 DDR4-1866
PC4-17000 DDR4-2133
PC4-19200 DDR4-2400
PC4-21333 DDR4-2666
PC4-23466 DDR4-2933
PC4-25600 DDR4-3200

В интернет магазинах, чаще всего, оперативная память обозначается с помощью типа памяти и эффективной частоты (например, как DDR3-1333 или DDR4-2400) поэтому, если на вашей памяти написано название модуля (например, PC3-10600 или PC4-19200), то вы можете перевести его с помощью таблицы.

Немного теоретической части

Прежде чем найти 1000 и 1 отличие ddr3 от ddr4, рассмотрим немного теории и подкрепим все практикой. Как мы уже говорили, впервые разработкой усовершенствованной памяти занялись еще в далеком 2005 году. На тот момент было совсем непонятно что делать и в какую сторону развиваться. Мысли были, но как реализовать все на практике оставалось загадкой.

Вначале 2000-х у многих на компьютерах была установленная обыкновенная оперативная память первого поколения. Об усовершенствовании ее не могло идти и речи. Ведь это было нерентабельным и дорогостоящим удовольствием.

Память DDR4 отличается безупречными теоретическими характеристиками. И этот аргумент выгораживает разработку в правильном свете. Так, главным ее преимуществом является быстрая работа.

Скорость передачи информации значительно увеличилась. У DDR3 она составляла не более 1866 МГц, в DDR4 этот параметр равен 2133 МГц. Естественно, это положительно сказывается на производительности устройства.

Память данного типа ориентирована на случайный доступ ко всем ее массивам. Это означает, что контроллер может обратиться к любой ячейке и заполнить ее данными. Данное действие не мгновенное, время, затраченное на процесс, измеряется в тактах.

Наиболее востребованной тактовой частотой для DDR3 выступает 1600 МГц, для новенькой DDR4 показатель составляет 2133 МГц. Мы об этом уже говорили чуть выше. Но дело в том, что это не единственная отличительная черта.

С учетом задержки этот показатель способен меняться. Естественно, полагаться исключительно на этот параметр не стоит. Это ведь не единственная характеристика, по которой выбирается дополнение для ноутбука. По факту, частотность особо не влияет на производительность. Это еще раз подчеркивает тот факт, что разница между двумя типами памяти не существенная.

Особенности использования памяти с пониженным напряжением

Чувствую, многие из вас уже начали задумываться о замене DDR3 на DDR3L. Тогда обязательно дочитайте эту статью до конца, ведь сейчас мы поговорим о том, взаимозаменяемы ли они.


Ситуация здесь такая:

  • Обычно, совершенствуя стандартную конструкцию, разработчики планируют ее совместимость с устройствами, поддерживающими предыдущую версию. Так и с DDR3L: она может работать и с напряжением 1,35 В и с 1,5 В. В каком режиме это будет происходить – это уже другой вопрос. Во всяком случае, в BIOS можно вручную установить подаваемое на ОЗУ напряжение, изменить тайминги и частоту.
  • Вообще-то в спецификации материнских плат и процессоров указано, какие типы памяти предпочтительны для работы с ними. И этого следует придерживаться. Например, в процессоры Intel  Skylake и последующих поколений уже рассчитаны на DDR3L. Вы же можете, используя программу AIDA64, изучить свойства «Северного моста» (это в «Чипсете» «Системной платы») и посмотреть его совместимость с разными видами DDR.

Если вы обнаружите, что устройство предназначено для низковольтной памяти третьего поколения, то вставлять (пусть и в подходящий) разъем DDR3 не стоит. Работать он не будет. Ему просто не хватит напряжения.

И еще одно важное предостережение для желающих поставить вместе обычную и низковольтную память. Даже если они одинаковы по всем другим параметрам и производители чипов у них одинаковые, то делать этого не стоит

На разъемы ОЗУ подается одинаковое питание, а значит, одна из планок окажется «не у дел», а то и вовсе может сгореть.

Теперь, мои друзья, вы официально узнали ответ на вопрос: DDR3L чем отличается от DDR3 и знаете особенности их использования.

Снижение напряжения питания микросхем

Современные микросхемы изготавливаются по технологии КМОП. Транзисторный ключ в этой технологии состоит из двух полевых транзисторов, включенных по двухтактной схеме. В любом состоянии ключа один транзистор полностью открыт, другой — закрыт. В закрытом состоянии полевой транзистор практически не пропускает тока. То есть, в стабильном состоянии КМОП ключ не потребляет ток от источника питания. Но у затворов полевых транзисторов есть емкость. И она имеет существенную величину. При переключении ключа происходит перезаряд затворных емкостей. А конденсатор, как известно, запасает энергию в виде электрического поля. И эта энергия пропорциональна величинам емкости и напряжения.

Мощность определяет скорость изменения энергии и пропорциональна в нашем случае частоте переключения. Получается, что вся энергия источника питания расходуется на перезаряд затворных емкостей. И потребляемая мощность растет линейно с ростом тактовой частоты. Есть два пути понижения потерь мощности на перезаряд паразитных конденсаторов:

  • Уменьшить их емкость.
  • Уменьшить напряжение перезаряда — понизить напряжение питания.

С каждым новым шагом в совершенствовании технологического процесса изготовления интегральных микросхем линейные размеры транзисторов уменьшаются. Уменьшается и площадь паразитных конденсаторов, а соответственно и их емкость. Но и число транзисторов на кристалле тоже увеличивается.

Значит, надо добиться работы микросхем при как можно более низком напряжении питания. В результате с каждым новым поколением микросхем напряжение их питания уменьшается.

  • DDR — 2, 5 В.
  • DDR2 — 1, 8 В.
  • DDR3 — 1, 5 В.
  • DDR4 — 1, 2 В.

Усовершенствование памяти третьего поколения

Понятное дело, DDR4 по вольтажу и по всем показателям намного лучше, но она может использоваться только на определенных материнских платах с самыми современными процессорами. Поэтому наиболее востребованными на сегодняшний момент являются планки DDR3

И, представьте себе,  для них инженеры нашли возможность снизить напряжение питание аж на 0,15 V! Понимаете насколько это важно?


Собственно так и появилась память DDR3L, имеющая рабочее напряжение 1,35 вольт. Литера L в ее обозначении не что иное как «low» — «пониженное» на 10% электропитание. Так что не путайте ее с «единицей» и, если есть возможность, используйте написание большой буквы.

Как вы поняли, снижение вольтажа дает определенные преимущества и имеет свои особенности. О них мы сейчас и поговорим:

    DDR3L – это идеальное решение для ноутбуков. Такую память даже используют в мобильных телефонах

    Ну и в ПК ликвидация еще одного источника нагрева – большое и важное дело. Отпадает необходимость в установке пассивных радиаторов, которые производители вынуждены были устанавливать на самые производительные модули RAM памяти. Снижение рабочей температуры чипов памяти – это гарантия их стабильной и быстрой работы. Разве не об этом мечтают все пользователи?

Ну и наконец, продвинутым юзерам DDR3L предоставляет большие возможности для разгона компьютера.

Но здесь следует быть особо аккуратными.

Суть стандарта DDR3

В отличие от устаревшей «двойки» в третьей версии емкость микросхем увеличена. Теперь она составляет 8 бит. Это не могло не сказаться положительно на производительности. Также вырос минимальный объем модулей — теперь он составляет 1 гигабайт. Меньше просто невозможно. Разница между DDR3 и DDR3L, которую мы рассмотрим чуть ниже, несущественна. Тут больше разницы между «двойкой» и «тройкой». И она заметна невооруженным глазом. Кстати, и энергопотребление снизилось, что сделало данный тип памяти более подходящим для мобильных компьютеров (ноутбуков).

«Тройка» — стандарт далеко не новый. Поэтому особо радоваться здесь нечему. DDR4 гораздо производительнее. Но, тем не менее, именно этот тип памяти наиболее распространен в наше время. DDR3 и DDR3L, разница в которых не так уж существенна, — однотипные модули. Но разобраться в том, что их отличает, стоит хотя бы для самообразования. Что ж, теперь рассмотрим характеристики «тройки» с литерой L.

DDR3L. Что нового?

По сути, в этой памяти все стандартно. Как в обычной «тройке». Но есть одно существенное различие — энергопотребление. В 3L оно равно 1,35 В. Для сравнения, обычная «тройка» потребляет 1,50 В. Это весьма существенно, если говорить о ноутбуках, нетбуках и ультрабуках, то есть о мобильных компьютерах. В их случае энергопотребление играет решающую роль, так как им нужно довольно продолжительное время работать от аккумулятора. Этим и отличаются DDR3 и DDR3L. Разница не такая уж заметная, но существенная.

В последнее время производители мобильных компьютеров используют только энергоэффективные модули «тройки». Поэтому стало возможно заставить ноутбуки работать от батареи дольше, чем это было раньше. Хоть показатели не особо и отличаются. Оперативная память DDR3 и DDR3L, разница в которых тут рассматривается, на данный момент самые приемлемые варианты для персональных компьютеров и ноутбуков. Теперь рассмотрим наиболее популярные модели.

Samsung 4GB DDR3 PC3-12800

Еще один модуль из самого среднего ценового сегмента. Эта оперативная память работает уже на частоте 1600 мегагерц и может даже использоваться для игр. Особенно производителен тандем из двух модулей такой памяти. Имеются «планки» DDR3 и DDR3L, разница между которыми-таки есть. Как и вся техника этой компании, модули памяти отличаются высочайшим качеством и непревзойденной надежностью. В настоящее время — это одни из лучших модулей на современном рынке компьютерных комплектующих.

Компания Samsung хорошо известна качественными смартфонами и другими устройствами. Но вот модули оперативной памяти ее специалисты могли бы сделать и получше. В них нет и тени легендарного корейского качества. Но работает память хорошо. Хоть и не выглядит особо крепкой или надежной. Кстати, она очень болезненно переносит разгон. Вплоть до самых печальных последствий. Так что подвергать ее подобной процедуре не стоит. Итак, продолжим. DDR3L и DDR3. Какая разница между ними?

Обзор оперативной памяти DDR3

DDR3 SDRAM означает синхронную динамическую память третьего поколения с удвоенной скоростью передачи по шине данных. Память выпускается в виде модулей — печатных плат прямоугольной формы, на одной из длинных сторон которых располагаются контактные площадки для соединения с разъемами материнской платы.

В зависимости от исполнения контактов модули разделяются на два типа — SIMM и DIMM. SIMM или Single In line Memory Module — означает модуль памяти с одним рядом контактов. DIMM — модуль с двумя рядами контактов. У обоих типов модулей контактные площадки расположены на двух сторонах платы, но в модулях SIMM противоположные контакты соединены.

Модули памяти DDR2 и DDR3 имеют по 240 контактов. На контактной стороне модулей имеется специальный вырез — ключ. На модулях DDR2 и DDR3 ключи располагаются по-разному, что исключает установку одного модуля вместо другого. Выпускаются модули уменьшенного габарита для ноутбуков, которые обозначаются SoDIMM, So в обозначении расшифровывается как Small Outline, то есть малый наоборот.

Характеристики DDR3


Основные характеристики любого типа памяти — объем и быстродействие. Объем выпускаемых в настоящее время модулей составляет от 1 до 16 ГБ для стандартных модулей и до 8 ГБ для SoDIMM.

Быстродействие синхронной памяти определяется тактовой частотой шины и задержками в цикле обращения к памяти, которые характеризуют быстродействие самих микросхем памяти и называются латентностями (от английского Latency — задержка) или таймингами. Разных задержек указывается несколько — иногда до пяти. Для выбора модуля DDR3 можно не обращать особого внимания на задержки.

В системах DDR данные буферизуются, используется конвейерный ввод-вывод, при этом значение задержек собственно микросхем компенсируется. Кроме того, современные процессоры имеют на кристалле такие объемы быстродействующих статических ОЗУ в кеш-памяти второго и даже третьего уровня, что подкачка страниц между внутренним кешем и внешним ОЗУ происходит довольно редко. Поэтому в современных компьютерах быстродействие оперативной памяти престало играть определяющую роль.

Главная характеристика быстродействия памяти DDR3 — частота передачи по шине данных. Для DDR3 она может быть в диапазоне от 800 до 2400 МГц. Частота шины в два раза ниже, поскольку передача данных идет два раза за цикл по обоим фронтам тактового сигнала. За счет буферизации еще делится на 4, то есть сама память работает на частоте в 4 раза ниже частоты шины.

Быстродействие модулей измеряется в мегабайтах за секунду. Поскольку шина имеет ширину в 64 бита или 8 байт в секунду, значение скорости обмена данными для модуля DDR3 будет в 8 раз больше частоты передачи по шине.

Самый медленный модуль с частотой данных на шине 800 МГц будет иметь скорость 2400 МБ в секунду и иметь обозначение PC3−2400.

Самый, быстрый модуль с частотой данных 2400 МГц будет иметь скорость 19200 МБ в секунду и обозначение будет выглядеть как PC3−19200.

При выборе модуля, надо обязательно убедиться что тактовая частота шины модуля соответствует тактовой частоте процессорной шины вашего компьютера.

Типы динамических ОЗУ

Первоначально и статические и динамические устройства были асинхронными, то есть не требовали для своей работы тактовой частоты. Быстродействие было примерно одинаковым и единственным существенным различием была необходимость регенерации в динамических ОЗУ. Со временем быстродействие транзисторных ключей росло, а быстродействие динамической памяти ограничивалось тем, что заряд и разряд запоминающего конденсатора требует определенного времени. Динамическая память стала отставать от статической.

Разработчикам динамической памяти пришлось пойти на усложнение своих микросхем. Микросхемы динамической памяти получили на кристалле довольно сложную обвязку и устройство управления, для работы которого необходима подача тактовой частоты. Динамические ОЗУ стали синхронными и получили название SDRAM — Synchronous Dynamic RAM.

За счет различных схемотехнических ухищрений эффективное быстродействие SDRAM стало превышать пропускную способность шины памяти и шина стала узким местом. Обычно в синхронных устройствах передача информации происходит по определенному фронту синхроимпульса — переднему (нарастающему) или заднему (спадающему).Появились микросхемы DDR SDRAM, у которых в отличие от обычных SDRAM передача информации по шине осуществляется как по обоим фронтам синхроимпульса. Это позволило увеличить пропускную способность шины памяти вдвое. DDR и означает Double Data Rate, или удвоенную скорость данных.

Технология DDR развивалась и появились новые поколения этих устройств, сначала DDR2, затем DDR3. Последним поколением на сегодняшний день является DDR4, но оно еще не получило широкого распространения и самым распространенным типом остается DDR3 .

Что дает понижение напряжения?

Последний параметр особенно важен, поскольку он может повлиять на другие характеристики. Происходит это следующим образом:

  • Потребляемая электроэнергия преобразуется в тепловую;
  • Микросхемы нагреваются, что отрицательно сказывается на их работе;
  • Снижается частота, скорость, появляются глюки…

Вот у DDR1 энергопотребление было на уровне 2,5 В, у второго поколения — уже 1,8 Вольт. DDR3 имела рабочее напряжение 1,5 В, а DDR4 аж 1,2 Вольта. Вы посмотрите, какая ожесточенная борьба ведется за каждую десятую вольта. Снижение этой величины стало особенно актуальным с широким распространением компактных и мобильных устройств, требующих большой автономности при работе от аккумуляторов.


С этим читают