Программы для проверки оперативной памяти: тест озу

Тестируем производительность при разгоне

Как мы уже отметили выше, заранее сложно предугадать, какой метод разгона окажется эффективнее — манипуляции с тактовой частотой или таймингом. Поэтому если вы решили ускорить работу ПК, вам предстоит вооружиться специализированными программами, позволяющими вести мониторинг производительности разогнанных модулей ОЗУ.


На какие программы стоит обратить внимание? Эксперты советуют обзавестись таким ПО, как PC Mark и Everest. Какая именно программа для оперативной памяти подходит больше всего? Специалисты считают, что каждое из этих решений имеет свои плюсы и минусы

Многое зависит от субъективного уровня комфорта пользования этими программами, который определяет сам пользователь.

Данные виды ПО хороши, помимо качественного мониторинга в отношении производительности, наличием функций по отслеживанию стабильности работы модулей ОЗУ.

Измерять скорость оперативной памяти исключительно важно с точки зрения выбора оптимального сочетания инструментов для разгона микросхем

Разгон по частоте

1. Заходим в BIOS, нажав и удерживая клавишу «Delete» в начальный момент загрузки системы (до экрана загрузки Windows).

2. «Advanced Chipset Features» — «DRAM Configuration» — это вкладка редактирования параметров таймингов памяти.Далее в каждой строчке вместо AUTO ставим то число, которое справа от черточки.«Row Cycle Time (tRC)» — 12.«Row Refresh Cycle Time (tRFC)» — 16.Другие таймиги должны быть выставлены для частоты 400 MHz.«Power Bios» — «Memory Frequency» — DDR333 (166 MHz).

3. Далее при помощи программ S&M (тест памяти), Memtest 1.65 или 3D Mark 2001 (подходит лучше, чем более новые версии) тестируем память на ошибки.


Если тесты не пройдены или выскакивают сообщения об ошибках памяти:

— поднимаем напряжение памяти«Power Bios» — «Memory Voltage» — 2.9v (3.0v).

Опять прогоняем тесты.— снижаем делитель«Power Bios» — «Memory Frequency» — DDR266 (133 MHz) и опять тестируем в Windows, но после этого, обычно память уже работает стабильно.

Например, множитель процессора 9, разгон 2700 MHz, память выставлена, как DDR333.Следовательно, 2700 делим на 11.Результат — 245 MHz т.е. 490 MHz DDR.

Следует выделить еще один тип разгона: с понижением множителя (и повышением частоты шины), для того, чтобы найти наиболее оптимальную частоту памяти.

«Физика» работы памяти

Каждая микросхема памяти состоит из миллионов ячеек данных. Каждая ячейка, в свою очередь, может хранить только одно из двух возможных значений, либо 0, либо 1. Но это только на логическом уровне, на физическом же уровне ячейка представляет из себя конденсатор, запасающий определенный уровень заряда. Если уровень напряжения выше определенного значения, считаем, что в ячейке записана логическая единица, если ниже логический ноль. Таким образом, каждая ячейка памяти хранит 1 бит данных.

Как всегда, в бочке мёда, есть ложка дёгтя. У ячеек данных слишком короткая память, дело в том, что конденсаторы слишком быстро разряжаются, всего за несколько миллисекунд ячейка способна забыть всё. Что тут говорить, даже при чтении данных расходуется заряд. Но помощь приходит контроллер.

Всем этим оркестром ячеек дирижирует контроллер. У микроконтроллера в арсенале есть всего 2 инструмента: вольтметр и «зарядник». Контроллер получает питание с материнской платы и именно «мамка» решает на каком напряжении будет работать память. Именно этим напряжением контроллер заряжает ячейки с логической единицей, при логическом же нуле контроллер разряжает ячейку.

Удерживаем данные в памяти

Как я писал выше, данные нельзя хранить просто так, все записанное будет потеряно в считанные миллисекунды. Умные головы придумали как решить эту проблему и научили контроллер постоянно сканировать ячейки и подзаряжать их. Контроллер памяти проходит все ячейки памяти сотни раз в секунду, считывая значения и записывая в ячейки эти же самые значения, тем самым подзаряжает разрядившиеся ячейки.


Если перестать подзаряжать ячейки памяти, данные будут потеряны. Именно поэтому оперативную память называют энергозависимой.

Практические советы по ручному разгону памяти с чипами Micron E-die, основные принципы при регулировке напряжения и настройке таймингов

Итак, представляю вашему вниманию мой итоговый результат разгона после оптимизации и ручной «доработки». В зеленых рамочках выделены те значения, которые я выбрал в калькуляторе, а в красных рамочках находятся те результаты, которые я оптимизировал под свою память.

Итак, вот те принципы, которым я следовал, когда «ужимал» первичные и вторичные тайминги:

  • Power Down mode должен быть отключен всегда.
  • Gear Down mode влияет на итоговую латентность (в худшую сторону), но для того, чтобы взять более высокие частоты, его необходимо обязательно включить.
  • Command Rate всегда выставляется в значение 1T (количество тактов).
  • Первый тайминг tCL настраивается точно также, как он задан в XMP или в калькуляторе. Как-то ужимать его очень сложно и приводит к нестабильности, если не задирать напряжение.
  • tRP и tRCDWR могут быть на два пункта ниже, чем первый тайминг tCL (следует выбирать четные значения)
  • tRAS вычисляется по формуле tRCD + tBL + tWR.
  • tRC должен быть больше либо равен tRAS+TRP. В моем случае память заработала даже на значении в 50.
  • tFAW можно смело «ужимать» в 1.5, а в некоторых случаях и в 2 раза от того результата, который выдает калькулятор или XMP.
  • SOC Voltage 100% безопасно повышать можно до 1.1 вольта, но подходящие значения находятся в трех вариантах: 1.025 — 1.05 и 1,1. Чаще всего среднего значения (для гарантии) бывает достаточно.
  • Чипы Micron E-die не самые холодные и их эффективность слабо зависит от напряжения, подаваемого на них. Категорически не рекомендуется повышать напряжение выше 1.4 вольта.

Итак, спустя почти 3 месяца изучения платформы AM4 и разгона памяти с процессором Zen+, я добился стабильного результата разгона.

Но все мои прошлые попытки разгона я, естественно, сохранял в отдельные профили в BIOS. Одно время я добился стабильного результата на частоте в 3400 с таймингами CL 14 при напряжении 1.45 вольта, но почему я отказался от такого разгона вы узнаете далее…

Индивидуальный подход

Пользоваться специальными утилитами для разгона системы можно, но не нужно — их функционал хромает.

Когда дело доходит непосредственно до ковыряния в многочисленных меню, становится понятно, что изменять тайминги куда проще, чем частоту памяти. Это в видеокартах все элементарно: потянул в специальной утилите ползунок вправо — получил нужную прибавку к частоте. С полноценными DDR-модулями все намного сложнее.

Основные проблемы связаны с тем, что скорость работы оперативки зависит сразу от двух параметров — опорной частоты (FSB, BCLK) и множителя. Перемножая эти значения, мы получаем итоговую частоту ОЗУ. Однако простое увеличение первого параметра почти наверняка приведет к непредвиденным результатам, ведь это неизменно скажется на производительности других компонентов системы. Можно, конечно, не трогать опорную частоту, но добиться впечатляющего разгона с помощью одних лишь модификаций множителя в большинстве случаев невозможно.

На разных платформах изменение опорной частоты приводит к разным последствиям. Кроме того, нередко ради повышения скорости работы памяти требуется изменить рабочие параметры других исполнительных блоков системы. Словом, к каждой платформе нужен свой подход, так что мы постараемся разобрать основные нюансы для каждого случая. Рассматривать все возможные конфигурации мы, разумеется, не станем — сосредоточимся на десктопных платформах, появившихся в последние несколько лет. У всех них контроллер памяти располагается в процессоре, так что можно сказать, что особенности разгона зависят от того, какой именно кусок кремния является сердцем системы. Итак, хит-парад самых актуальных на сегодняшний день процессоров…

Ранговость памяти

Термин, сложный для понимания обычному юзеру. Если не вдаваться в дебри, то память может быть одноранговая, двухранговая и так далее. Чем ниже ранг, тем дешевле производство и легче разгон, чем выше ранг – тем выше базовая производительность. Опять же, шина Infinity Fabric очень любит многоранговую оперативку. Из названия некоторых моделей, кстати, довольно легко вычислить ранговость – у Kingston это обозначается буквой S/D/Q для одноранговой/двухранговой/четырёхранговой памяти соответственно. К примеру – KVR1333D3LS4R9S/4GEC, KVR1333D3LD4R9S/8GEC и KVR1333D3LQ8R9S/8GEC.

Замеры температур модулей памяти при разном вольтаже — как перегреваются и выходят из строя модули оперативной памяти.


Итак, среди читателей есть некоторая категория людей, которые не верят в то, что от высокого напряжения модули памяти могут сильно разогреваться. Итак, данное тестирование я посвящаю всем тем, кто до сих пор думал, что радиаторы на оперативной памяти — это маркетинг и «украшение».

Итак, вот такие температурные показатели имеют модули при напряжении в 1.39 вольта. Быть может, реальная температура даже выше на пару градусов, но если их трогать рукой, то они реально горячие, но пальцы не обжигают.

Такие температурные показатели получились в открытом стенде при тестировании оперативной памяти программой TestMem5 в течение 8 минут.

Если для вас это кажется уже много и ваше представление о «холодной современной памяти» разрушилось, то даже не смотрите на результаты при напряжении в 1.45 вольт.

Удивлены? Если вы все-таки «кочегарите» память, то не лишним будет заняться обдувом модулей памяти. Но лучше не выходить за рамки 1.4 вольт для Micron E-die.

При этом сама память выдавала следующие результаты в AIDA64 Memory & Cache:

Настройки BIOS

Для того чтобы разогнать тактовую частоту каких-либо комплектующих компьютера, пользователям нужно зайти в меню конфигураций БИОС. Для этого выполните несколько простых действий, описанных в данной инструкции:

  1. Перезапустите ваш ПК или включите его, если он выключен.
  2. Сразу после звукового сигнала БИОС, оповещающего о том, что все детали найдены и работают корректно, необходимо нажать на специальную горячую клавишу вызова меню настроек. Чтобы узнать, какая кнопка подходит вам, нужно посмотреть модель своей материнской платы. Наиболее часто встречающиеся хоткеи: F10, F12, F11, F8, Delete, Escape.
  3. Теперь вам потребуется отыскать опцию, которая называется «DRAM Configuration». Ее расположение зависит от версии BIOS. Обычно она находится в разделе «Advanced Chipset Features».
  4. Здесь пользователи могут задать значения таймингов и частоты оперативной памяти. Необходимо знать, что чем их значения меньше – тем быстрее будет работа компьютера. Измените их показатели на несколько единиц в меньшую сторону.
  5. Теперь откройте меню «Memory Frequency» и установите частоту немного выше текущей. 
  6. Сохраните изменения и начните рестарт компьютера.

Выводы

Первое, что хочется отметить в выводах — разгон памяти ОЗУ — это очень непростое дело, которое требует не просто начитанности и понимания в этом вопросе, но и понимания основных правил работы с настройками процессора и материнской платы, основные правила работы электрикой и с техникой. Кроме того, чтобы правильно сделать разгон памяти, понадобится достаточно времени для экспериментов и тестирования, а также очень много терпения, чтобы не бросить свою затею на половине пути и довести дело до логического конца.

  • Так что если твердо решили разгонять память — стоит выделить на это целый день, в который вам не нужен будет срочно персональный компьютер и в который вы сможете сделать все не спеша и в комфортной обстановке, чтобы посчитать настройки и правильно их ввести.
  • Также, если вам хочется увеличить скорость ОЗУ, можете обратиться в специальный центр, где специалисты будут не только подстраивать основные параметры, о которых говорится в этой статье но и смогут увеличить подачу напряжения, так как они не раз сталкивались с такой просьбой от клиентов.
  • Кроме того, вы всегда можете просто рассмотреть вариант того, чтобы не просто искусственно разгонять ОЗУ и снижать время работы памяти, а просто увеличить ее количество у себя на персональном компьютере. Это даст вам верный результат, предотвратит раннее изнашивание деталей и существенно расширит ваши возможности.

С этим читают